KRI 射頻離子源典型應用 IBE 離子蝕刻
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KRI 射頻離子源典型應用 IBE 離子蝕刻

KRI 射頻離子源典型應用 IBE 離子蝕刻
上海伯東美國 KRI 射頻離子源安裝在日本 NS 離子蝕刻機中, 對應用于半導體后端的 6寸晶圓進行刻蝕
Hakuto (NS) 離子蝕刻機技術規格:

型號

NS 7.5IBE

NS 10IBE

NS 20IBE-C

NS 20IBE-J

適用范圍

適用于科研院所,實驗室研究

適合小規模量產使用和實驗室研究

適合中等規模量產使用的離子刻蝕機

適合大規模量產使用的離子刻蝕機

基片尺寸

Φ4 X 1片或
Φ6 X 1片

φ8 X 1片

φ3 inch X 8片
φ4 inch X 6片
φ8 inch X 1片

Φ4 inch X 12片
φ5 inch X 10片
φ6 inch X 8片

離子源

8cm 或 10cm
考夫曼離子源

10cm NS離子源

20cm 考夫曼離子源

20cm 考夫曼離子源

上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長
RFICP  系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源, 電子供應器, 中和器, 電源控制等
RFICP  系列離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均勻性,附著力等
 

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