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射頻離子源 RFICP 100
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射頻離子源 RFICP 100

KRI 射頻離子源 RFICP 100
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設計, 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻. 標準配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.

KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術參數

型號

RFICP 100

供電

RF 射頻感應耦合

 - 陰極燈絲

-

 - 射頻功率

1 KW

電子束

OptiBeam™

 - 柵極

專用

 -柵極直徑

10 或 12 cm

中和器

LFN 2000

電源控制

RFICP 1510-2-10-LFNA

配置

-

 - 陰極中和器

LFN2000 or MHC1000 or RFN

 - 安裝

移動或快速法蘭

 - 高度

9.25'

 - 直徑

7.52'

 - 離子束

聚焦
平行
散設

 -加工材料

金屬
電介質
半導體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

6-18”

 - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

KRI 考夫曼離子源 RFICP 100 應用領域
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統配置如下
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100
美國 HVA 真空閘閥
德國 Pfeiffer 分子泵 Hipace 2300
射頻離子源

 

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