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霍爾離子源 eH 2000
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霍爾離子源 eH 2000

KRI 霍爾離子源 eH 2000
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統. 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
水冷 - 與 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流
可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便
高效的等離子轉換和穩定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術參數

型號

eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO

供電

DC magnetic confinement

  - 電壓

40-300V VDC

  - 離子源直徑

~ 5 cm

  - 陽極結構

模塊化

電源控制

eHx-30010A

配置

-

  - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 離子束發散角度

> 45° (hwhm)

  - 陽極

標準或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移動或快接法蘭

  - 高度

4.0'

  - 直徑

5.7'

  - 加工材料

金屬
電介質
半導體

  - 工藝氣體

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安裝距離

16-45”

  - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH2000 應用領域
•  離子輔助鍍膜 IAD
•  預清洗 Load lock preclean
•  預清洗 In-situ preclean
•  Direct Deposition
•  Surface Modification
•  Low-energy etching
•  III-V Semiconductors
•  Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

 

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